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S5J R7G

Mfr# S5J R7G
Mfr. TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Más información Lea más sobre TSC (Taiwan Semiconductor) S5J R7G
Especificaciones S5J R7G.pdf

Descripción

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Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 140071 pcs
Especificaciones S5J R7G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.15V @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V
Paquete del dispositivo DO-214AB (SMC)
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 1.5µs
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta DO-214AB, SMC
Otros nombres S5J R7GTR
S5J R7GTR-ND
S5JR7GTR
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 600V 5A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 5A
Capacitancia Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz

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