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STPSC806G-TR

Mfr# STPSC806G-TR
Mfr. STMicroelectronics
Descripción DIODE SCHOTTKY 600V 8A D2PAK
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Más información Lea más sobre STMICROELECTRONICS STPSC806G-TR
Especificaciones STPSC806G-TR.pdf

Descripción

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Número de pieza STPSC806G-TR
Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE SCHOTTKY 600V 8A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 23050 pcs
Especificaciones STPSC806G-TR.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.7V @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V
Paquete del dispositivo D²PAK
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres 497-11210-6
Temperatura de funcionamiento - Junction -40°C ~ 175°C
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Descripción detallada Diode Silicon Carbide Schottky 600V 8A Surface Mount D²PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr 100µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 8A
Capacitancia Vr, F 450pF @ 0V, 1MHz
Número de pieza base STPSC806

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