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RFN2LAM6STR

Mfr# RFN2LAM6STR
Mfr. LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Más información Lea más sobre LAPIS Semiconductor RFN2LAM6STR
Especificaciones 1.RFN2LAM6STR.pdf
  2.RFN2LAM6STR.pdf

Descripción

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Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 96944 pcs
Especificaciones 1.RFN2LAM6STR.pdf 2.RFN2LAM6STR.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.55V @ 1.5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V
Paquete del dispositivo PMDTM
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta SOD-128
Otros nombres RFN2LAM6SCT
Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount PMDTM
Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 1.5A
Capacitancia Vr, F -

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