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JANTXV1N5804

Mfr# JANTXV1N5804
Mfr. Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
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Especificaciones

Descripción

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Número de pieza JANTXV1N5804
Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 2678 pcs
Especificaciones
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 875mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 100V
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/477
Tiempo de recuperación inversa (trr) 25ns
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta A, Axial
Otros nombres 1086-2840
1086-2840-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 175°C
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 100V 1A Through Hole
Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io) 1A
Capacitancia Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz

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