¿Por qué confiar su negocio a nosotros?
Eliminamos el pánico de las compras. Almacenamos millones de piezas difíciles de encontrar de nuestras fuentes confiables. Actualizamos nuestros listados de productos por minutos, y las compras en línea se completan en tiempo real y se envían todos los días.
Fundada en 2002, NewBue es un líder local en distribución de componentes electrónicos, y también es reconocida como una de las empresas más respetadas e innovadoras en el mercado local actual. Con sede en Hong Kong, NewBue se ha ganado una reputación impresionante por proporcionar un servicio excepcional y desarrollar soluciones eficientes y completas de la cadena de suministro global.
Aprende más >
Incorporación de alta potencia a una infraestructura de IA más pequeña
Navitas Semiconductor ha presentado dos nuevas opciones de paquete para sus dispositivos de potencia de carburo de silicio GeneSiC de quinta generación, destinados a mejorar la densidad de potencia y el rendimiento térmico en sistemas de alta potencia.
Los dispositivos incluyen un paquete QDPAK refrigerado en la parte superior y un paquete TO-247-4L de bajo perfil con cables asimétricos.Ambos admiten MOSFET de SiC de 1200 V y están diseñados para mejorar la robustez del dispositivo y, al mismo tiempo, ayudar a los diseñadores de sistemas a gestionar el calor y el espacio de la placa.
Los dispositivos se basan en la tecnología SiC planar asistida por trincheras (TAP) de quinta generación de la compañía.Este diseño mejora la cifra de mérito RDS(on) × QGD en aproximadamente un 35% y mejora la relación QGD/QGS en aproximadamente un 25%.Los dispositivos también mantienen un voltaje umbral de puerta superior a 3 V para reducir el riesgo de encendido parásito y permitir una conmutación estable.
El paquete QDPAK se centra en la gestión térmica.En lugar de eliminar el calor a través de la PCB, el diseño mueve el calor directamente desde la parte superior del paquete a un disipador de calor.Esto reduce la resistencia térmica y ayuda a reducir el tamaño general del sistema.La menor inductancia parásita en el paquete también permite una conmutación más limpia a frecuencias más altas.
La estructura QDPAK permite tamaños de matriz más grandes y una mayor capacidad de corriente, lo que permite valores RDS(on) muy bajos para diseños de alta potencia.Su formato de montaje en superficie admite la fabricación automatizada y el montaje de gran volumen.
El paquete tiene un tamaño de 15 mm × 21 mm y una altura de 2,3 mm.Una ranura moldeada aumenta la distancia de fuga a 5 mm sin aumentar el tamaño del paquete.Admite operaciones de hasta 1000 VRMS y utiliza un compuesto de moldeo epoxi con un índice de seguimiento comparativo superior a 600.
La segunda opción, el paquete de orificio pasante TO-247-4-LP, está dirigido a sistemas donde el espacio vertical en la placa es limitado.Al reducir la altura sobre la PCB en comparación con el paquete estándar TO-247-4, el diseño permite una mayor densidad de potencia en sistemas compactos.
Este paquete también introduce cables asimétricos.Los cables más delgados para la puerta y los pines de fuente Kelvin mejoran la precisión del ensamblaje durante la fabricación de PCB.
El diseño está destinado a aplicaciones como fuentes de alimentación de centros de datos de IA, donde los límites de tamaño y altura del sistema son estrictos y se requiere una gestión térmica eficiente.
"Nuestros clientes están superando los límites de lo que es posible en aplicaciones de infraestructura energética y centros de datos de IA", dijo Paul Wheeler, vicepresidente y director general de la unidad de negocios de SiC de Navitas.