Chips más frescos para uso automotriz e industrial
Los dispositivos de potencia ofrecen alta confiabilidad, mejor enfriamiento y vida más larga para usos difíciles como EV, solar, centros de datos y entornos más exigentes.
Navitas Semiconductor ha introducido un nuevo nivel de confiabilidad para satisfacer las necesidades de por vida del sistema de aplicaciones automotrices e industriales.La última generación de MOSFET SIC de 650 V y 1200 V "Sic Asisted Planar", combinada con el paquete optimizado de HV-T2PAK en el lado superior HV-T2PAK, ofrece el más alto escasez de 6,45 mm de la industria, asegurando el cumplimiento de IEC para aplicaciones de hasta 1200V.
HV-T2PAK SIC MOSFET mejora la densidad y eficiencia de potencia del sistema al tiempo que mejora la gestión térmica, simplifica el diseño de la junta y aumenta la capacidad de fabricación.Las aplicaciones clave incluyen cargadores EV a bordo (OBC), convertidores DC-DC, alimentación de centros de datos, inversores solares residenciales, sistemas de almacenamiento de energía (ESS), cargadores rápidos EV DC y unidades de motor HVAC.
Navitas ha establecido un nuevo punto de referencia, "AEC-Plus", que excede los estándares AEC-Q101 y JEDEC.Esta calificación de la industria destaca el compromiso de Navitas de entregar productos rigurosamente diseñados y validados que cumplan con los exigentes requisitos de por vida de los sistemas automotrices e industriales.
Algunas de las características clave de los Mosfets HV-T2PAK SIC incluyen:
Sesgo inverso dinámico (D-HTRB) y conmutación de compuerta dinámica (D-HTGB) para probar aplicaciones del mundo real
Más del doble de pruebas de ciclismo de potencia y temperatura largas
Más de tres veces más largas para alta temperatura y alto voltaje
Prueba TJMAX de 200 ° C para garantizar un funcionamiento seguro en condiciones de sobrecarga
El paquete refrigerado HV-T2PAK de Navitas, diseñado en un factor de forma estándar de la industria compacto (14 mm x 18.5 mm), presenta un diseño innovador de surco en el compuesto de moho del paquete que extiende el escalofrío a 6.45 mm sin reducir el tamaño de la almohadilla térmica expuesta, lo que garantiza una disipación de calor óptima.Además, la almohadilla térmica expuesta se plantea con fósforo de níquel-níquel (NINIP) en lugar del enchapado de estaño (SN) utilizado en las soluciones de paquetes TSC existentes.Esta elección es crucial para mantener la planaridad superficial de la almohadilla expuesta después de la reflujo y garantizar la unión confiable y térmicamente eficiente al material de la interfaz térmica (TIM).